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low-temperatureGaAs相关论文

基于异变缓冲层与应变层超晶格的InP/GaAs异质外延

利用低压金属有机化学气相沉积技术, 开展InP/GaAs异质外延实验。由450 ℃生长的低温GaAs层与超薄低温InP层组成双异变缓冲层, 并......

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光电子学异质外延低温GaAs 低温InP 应变层超晶格 optoelectronics heteroepitaxy low-temperature GaAs

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